LINEA DI ATTIVITÀ
LA 4.9
Descrizione risultati raggiunti LA
Dimostrazione fattibilità tecnica della realizzazione di celle fotovoltaiche 1J in InGaP su silicio
Valutazione dell’impatto economico ed ambientale e dimostrazione dei vantaggi di tale approccio tecnologico Dimostrazione fattibilità tecnica della realizzazione di celle fotovoltaiche 1J in InGaP su silicio
Valutazione dell’impatto economico ed ambientale e dimostrazione dei vantaggi di tale approccio tecnologico
Risultati attesi nel POA
Questi strumenti costituiscono una base solida per lo sviluppo e l’integrazione di materiali III-V su silicio e per la realizzazione di celle fotovoltaiche ad alta efficienza e basso impatto ambientale da utilizzare nella building integration.
REFERENTE/I
Abagnale Giovanni – RSE – Ricerca sul Sistema Energetico
Deliverable consegnati con questo LA
D4.14 – Rapporto tecnico: “Caratterizzazioni morfologiche e microanalisi di cella PV InGaP/Si”
D4.15 – Rapporto tecnico: “Confronto prestazioni elettriche di dispositivo fotovoltaico InGaP/Si con quelle di dispositivo InGaP/GaAs”
D4.16 – Rapporto tecnico: “Analisi LCA impatto ambientale di un prototipo di cella InGaP/Si”
D4.17 – Rapporto tecnico: “Sviluppo di un prototipo di cella InGaP/Si ed analisi dei benefici economici” D4.14 – Rapporto tecnico: “Caratterizzazioni morfologiche e microanalisi di cella PV InGaP/Si”
D4.17 – Rapporto tecnico: “Sviluppo di un prototipo di cella InGaP/Si ed analisi dei benefici economici”
Livello di innovazione
L’attività svolta in questa LA ha mostrato come l’approccio tecnologico proposto rappresenti un significativo miglioramento rispetto allo stato dell’arte come, ad esempio, dispositivi tandem III/V su Silicio realizzati per mezzo di strutture buffer costituiti da composti quaternari. Infatti, dalla ricerca svolta nell’ambito del progetto MI_IEMAP 21-24, si è dimostrato la fattibilità tecnica della crescita di celle InGaP su silicio basata su composti binari e ternari e le analisi LCA ambientale ed economica delle celle InGaP/Si mostrano un impatto ambientale inferiore del 25,9% rispetto alle celle InGaP/GaAs. Il CLCC (Commodity Life Cycle Cost) è inferiore del 71%, rendendo la tecnologia più sostenibile e competitiva dal punto di vista ambientale ed economico.
In sintesi, mentre le celle tandem III-V/Si rappresentano lo stato dell’arte in termini di efficienza, il progetto MI21-24-IEMAP propone una via alternativa più sostenibile e potenzialmente più economica, particolarmente adatta per applicazioni in cui la semplicità costruttiva e la compatibilità ambientale sono prioritarie. L’attività svolta in questa LA ha mostrato come l’approccio tecnologico proposto rappresenti un significativo miglioramento rispetto allo stato dell’arte come, ad esempio, dispositivi tandem III/V su Silicio realizzati per mezzo di strutture buffer costituiti da composti quaternari. Infatti, dalla ricerca svolta nell’ambito del progetto MI_IEMAP 21-24, si è dimostrato la fattibilità tecnica della crescita di celle InGaP su silicio basata su composti binari e ternari e le analisi LCA ambientale ed economica delle celle InGaP/Si mostrano un impatto ambientale inferiore del 25,9% rispetto alle celle InGaP/GaAs. Il CLCC (Commodity Life Cycle Cost) è inferiore del 71%, rendendo la tecnologia più sostenibile e competitiva dal punto di vista ambientale ed economico.
In sintesi, mentre le celle tandem III-V/Si rappresentano lo stato dell’arte in termini di efficienza, il progetto MI21-24-IEMAP propone una via alternativa più sostenibile e potenzialmente più economica, particolarmente adatta per applicazioni in cui la semplicità costruttiva e la compatibilità ambientale sono prioritarie.
Disseminazione
“IEMAP-Evento Finale Progetto 2024”, Roma
Pubblicazioni:
S.Spagnolo, G.Mela, G.Abagnale, P.Girardi. “Development of prototype InGaP/Si cell and analysis of environmental and economic benefits”. Pending. “IEMAP-Evento Finale Progetto 2024”, Roma
S.Spagnolo, G.Mela, G.Abagnale, P.Girardi. “Development of prototype InGaP/Si cell and analysis of environmental and economic benefits”. Pending.
