LINEA DI ATTIVITÀ
LA4.7, LA4.8
Laboratorio ultilizzato
Lab.1009 (crescite epitassiali), Lab. 1006 (Processi & Caratterizzazione).
Tipologia di Misure
Caratterizzazione ottica, Riflettanza in situ, Raggio di curvatura, SEM, AFM, HRXRD.
Applicazione
Misure su Si e leghe III/IV/V depositate su silicio.
Stato Avanzamento
E’ stato sviluppato un data base dei materiali utilizzabili per il progetto. Sulla base delle simulazioni fatte usando i dati del data base sono stati selezionati i materiali da utilizzare per l’attività sperimentale. I risultati ottenuti, preliminari, mostrano una discreta convergenza con i modelli teorici anche se bisogna migliorare ancora alcuni aspetti dei processi di crescita epitassiale.
REFERENTE/I
Abagnale Giovanni – RSE
Strada Torre della Razza, Località Le Mose
FIGURE CON RELATIVE DIDASCALIE ESAUSTIVE
Figura 1
Didascalia
Sezione SEM Layer di Ge virtuale cresciuto su Si per MOVCD. Lo scopo era di verificare le condizioni di processo epitassiale per la crescita di tale strato.
Figura 2
Didascalia
HRXRD Layer di Ge virtuale cresciuto su Si per MOVCD. La presenza del solo picco del Ge (oltre a quello del substrato) dimostra che il materiale depositato è di natura cristallina.
Livello di innovazione
L’ambizione del progetto svolto all’interno di IEMAP e nella specificità del WP 4 LA4.7,4,8,4.9 è quello di realizzare celle in InGaP a singola giunzione per LCs su Silicio eliminando così il substrato di GaAs con conseguente riduzione dei costi di produzione ed ambientali in quanto l’Arsenurio di Gallio è considerato un materiale altamente inquinante oltre ad essere molto costoso rispetto al Silicio. Allo stato dell’arte lo sviluppo e produzione di dispositivi basati su composti III/V è fatta su substrati di Ge o GaAs, materiali costosi e maggiormente inquinanti se confrontati al silicio.
Disseminazione
Per la LA4.7 partecipazione al Congresso Nano Innovation 2022, Università La Sapienza, Roma.
Workshop IEMAP presso centro ENEA Frascati 2022.
